В 2002 году швейцарец Пьер Фазан и россиянин Сергей Охонин основали компанию Innovative Silicon, и вскоре их разработки позволили резко увеличивать память, закладываемую в единицу площади микросхемы.
Разработанная технология получила название Z-RAM, и в отличие от применяемой сегодня в компьютерах технологии DRAM позволяет записывать 1 бит информации на 1 транзистор без использования конденсатора.
С 70-х годов прошлого века, т.е. со времени изобретения полупроводниковой компьютерной памяти, это первая разработка, внесшая фундаментальные изменения, которые позволят сделать элементы памяти еще более компактными и дешевыми.
«Награда подтвердила роль доктора Охонина в создании полупроводниковой памяти для будущих поколений», – говорится в сообщении Innovative Silicon.
Справка Academ.info: Сергей Охонин закончил ФФ НГУ в 1980 году, до 1993 года работал в Институте полупроводников СО РАН, с 1994 года сотрудничал с Федеральной политехнической школой в Лозанне (EPFL), принимал участие в ряде европейских проектов, в частности, в улучшении технологии построэения электронных схем CMOS. После создания компании Innovative Silicon занялся разработками в области компьютерной полупроводниковой памяти. В 2007 году Сергей Охонин получил статус "Инноватор года". Доктор Охонин выступает автором и соавтором более 50 научных работ и более 40 запатентованных изобретений.
Academ.info