«Первая большая задача – восстановление технологического накопительного комплекса в Зеленограде, который будет востребован для отечественной цепочки производства микроэлектроники. Это будет основной инструмент, позволяющий разрабатывать и испытывать технологию так называемых литографов, которые формируют в специальном слое, нанесенном на поверхность подложки, рисунок, повторяющий микросхему, с последующим переносом этого рисунка на подложки. Планируем запустить его через три года», – рассказал директор института Павел Логачев.
Другая важная работа ИЯФ, начатая в 2023 году, – конструирование ускорительной части отечественного ионного имплантера. Это второй важнейший прибор в технологиях микроэлектроники, помимо литографа, позволяющий вводить примеси в поверхностный слой полупроводниковых пластин, пишет издание СО РАН «Наука в Сибири».
Также совместная работа специалистов ИЯФ СО РАН и Объединенного института ядерных исследований (Дубна) позволила получить рекордные параметры охлаждения частиц.
«Наш институт создал для ОИЯИ систему электронного охлаждения пучков тяжелых ионов. Это позволило вдвое увеличить скорость набора данных во время экспериментов по изучению плотной барионной материи на фиксированной мишени. В РФ впервые усилиями ИЯФ СО РАН была создана подобная установка для реальных исследований в области физики частиц», – рассказал замдиректора института по научной работе Евгений Левичев.