Академик Александр Латышев — известный российский ученый, специалист в области физики и технологии элементной базы наноэлектроники и нанофотоники, синтеза низкоразмерных систем, структурной диагностики атомного разрешения.
В Институт физики полупроводников он пришел после окончания Новосибирского госуниверситета и начал свою научную карьеру как стажер-исследователь.
«Он получил научную задачу, которую никто до него не решал. Задача связана с актуальной проблемой физики твердого тела – исследованием процессов на поверхности и в поверхностных слоях, на пограничных слоях, так называемых интерфейсах, между разными элементами гетероструктур... Постепенно будущий лауреат стал создателем целого метода высокоразрешающей (сверхвысоковакуумной отражательной) электронной микроскопии, которая позволила рассмотреть очень тонкие процессы на поверхности полупроводниковых пленок и гетероструктур. Метод и сейчас используется в России и за рубежом», – цитирует пресс-служба института президенат Российского технологического университета МИРЭА академика Александра Сигова, представлявшего нового лауреата.