Александр Асеев родился в 1946 году в Улан-Удэ. В школьные годы он увлекался радиотехникой, а после окончания средней школу и поступил на физический факультет Новосибирского государственного университета. Окончив университет в 1968 году, он успешно защитил дипломную работу по исследованию дислокационной структуры кристаллов.
Сразу после окончания вуза молодой специалист начал трудиться в Институте физики полупроводников СО РАН, где защитил кандидатскую и докторскую диссертации, пройдя путь от стажера-исследователя до руководителя. Директором Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова он был с 1998 по 2013 год.
В 2006 году Асеев получил звание академика РАН и с 2008 по 2017 год руководил Сибирским отделением Российской академии наук и одновременно занимал пост вице-президента РАН.
Основная сфера научных интересов Асеева – изучение атомной структуры и электронных свойств полупроводниковых систем пониженной размерности, а также развитие технологий полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники. Под его началом были детально исследованы атомные механизмы процессов кластеризации точечных дефектов в кремнии и германии, а также разработаны передовые технологии получения фоточувствительных слоев и формирования структур с квантовыми ямами. За годы работы Асеев опубликовал около 200 научных трудов, включая пять монографий, получил девять патентов. За многолетний вклад в отечественную науку он удостоен медалей ордена «За заслуги перед Отечеством» первой и второй степеней, а также ряда других высоких наград.
Несколько лет назад имя академика оказалось в центре громкого скандала, связанного с приватизацией коттеджа в Академгородке. Правоохранительные органы и судебные инстанции разбирались в обстоятельствах передачи служебного жилья, что вызвало широкий общественный резонанс в научном сообществе. В последующем судимость с ученого была полностью снята.
Фото Н. Малахина, «Научная Россия»

